一、真空鍍膜機(jī)廠家蒸發(fā)鍍膜

有三種類型的蒸發(fā)源。① 電阻加熱源：船箔或金屬絲由鎢、鉭等難熔金屬制成，通過(guò)電流加熱船箔或金屬絲上方的蒸發(fā)物質(zhì)或?qū)⑵渲糜谯釄逯校▓D1【蒸發(fā)涂層設(shè)備示意圖】），電阻加熱源主要用于蒸發(fā)CD、Pb、Ag、al、Cu、Cr、Au、，鎳和其他材料；② 高頻感應(yīng)加熱源：用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)材料；③ 電子束加熱源：適用于蒸發(fā)溫度高（不低于2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料進(jìn)行蒸發(fā)。

與其他真空鍍膜方法相比，蒸發(fā)鍍膜具有更高的沉積速率，可用于沉積簡(jiǎn)單且不易熱分解的復(fù)合膜。

通過(guò)加熱使物質(zhì)沉積在固體表面而蒸發(fā)的過(guò)程稱為蒸發(fā)涂層。該方法最早由M.法拉第于1857年提出，并已成為現(xiàn)代常見(jiàn)的涂層技術(shù)之一。蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)。

金屬和化合物等蒸發(fā)物質(zhì)放置在坩堝中或懸掛在熱線上作為蒸發(fā)源，待鍍工件（如金屬、陶瓷、塑料和其他基材）放置在坩堝前面。將系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝以蒸發(fā)其中的物質(zhì)。蒸發(fā)材料的原子或分子通過(guò)冷凝沉積在基底表面。薄膜厚度可以從幾百埃到幾微米不等。薄膜厚度取決于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間（或加載量），并與源和基板之間的距離有關(guān)。對(duì)于大面積涂層，通常使用旋轉(zhuǎn)基底或多個(gè)蒸發(fā)源來(lái)確保膜厚的均勻性。從蒸汽源到基板的距離應(yīng)小于殘余氣體中蒸汽分子的平均自由程，以避免蒸汽分子與殘余氣體分子碰撞引起的化學(xué)相互作用。蒸氣分子的平均動(dòng)能約為0.1～0.2電子伏。

分子束外延可以用來(lái)沉積高純度的單晶薄膜。用于生長(zhǎng)摻雜GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2所示[分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中安裝了一個(gè)分子束源。當(dāng)它在超高真空下加熱到一定溫度時(shí)，熔爐中的元素以分子束流的形式射向基板。當(dāng)襯底加熱到一定溫度時(shí)，沉積在襯底上的分子可以根據(jù)襯底的晶格順序遷移、生長(zhǎng)和結(jié)晶。采用分子束外延技術(shù)可以獲得具有所需化學(xué)計(jì)量比的高純度化合物單晶薄膜，薄膜的最慢生長(zhǎng)速率可以控制在1單層/s。通過(guò)控制擋板，可以精 確地制備出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。分子束外延被廣泛用于制備各種光學(xué)集成器件和各種超晶格薄膜。